23.01.2024
НИИЭТ
Промышленность Воронеж
Импортозамещение
Микроэлектроника
Электронная промышленность
НИИЭТ: новый проект по импортозамещению
Специалисты АО «НИИЭТ» приступают к реализации нового проекта по импортозамещению. Об этом сообщили в пресс-службе воронежского предприятия.
Сегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить поставки 1036 самолетов для нужд гражданской авиации.
К тому же необходима организация полного цикла технического обслуживания и ремонта воздушных судов силами отечественных предприятий с учетом их обязательств по осуществлению поставок воздушных судов, комплектующих и запасных частей к ним. Для этого требуется проведение полного импортозамещения ЭКБ, используемой в бортовом радиоэлектронном оборудовании (БРЭО), которая в значительной степени состоит из изделий зарубежного производства. Реализация нового комплексного проекта «Разработка и освоение серийного производства серии импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF, L и S диапазонах частот» позволит эту задачу частично решить.
Заявленный срок реализации проекта: 19.12.2023 г. – 30.09.2030 г.
Специалисты АО «НИИЭТ», входит в Группу компаний «Элемент», создадут серию из 5 мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе – новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы, и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета.
Применение в составе аппаратуры разрабатываемых в рамках данного комплексного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достичь более высоких энергетических параметров, в первую очередь – высокую выходную импульсную мощность. Сегодня не существует отечественных транзисторов, способных выдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного БРЭО диапазона частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и усиления. Между тем, высокая выходная мощность позволяет увеличить дальность действия радиолокационных средств либо сократить число используемых в них усилительных элементов, благодаря чему произойдет уменьшение габаритов и массы оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с применением зарубежных аналогов – меньшая стоимость конечного изделия, отсутствие риска срыва поставок из-за санкций.
Сегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить поставки 1036 самолетов для нужд гражданской авиации.
К тому же необходима организация полного цикла технического обслуживания и ремонта воздушных судов силами отечественных предприятий с учетом их обязательств по осуществлению поставок воздушных судов, комплектующих и запасных частей к ним. Для этого требуется проведение полного импортозамещения ЭКБ, используемой в бортовом радиоэлектронном оборудовании (БРЭО), которая в значительной степени состоит из изделий зарубежного производства. Реализация нового комплексного проекта «Разработка и освоение серийного производства серии импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF, L и S диапазонах частот» позволит эту задачу частично решить.
Заявленный срок реализации проекта: 19.12.2023 г. – 30.09.2030 г.
Специалисты АО «НИИЭТ», входит в Группу компаний «Элемент», создадут серию из 5 мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе – новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы, и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета.
Применение в составе аппаратуры разрабатываемых в рамках данного комплексного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достичь более высоких энергетических параметров, в первую очередь – высокую выходную импульсную мощность. Сегодня не существует отечественных транзисторов, способных выдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного БРЭО диапазона частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и усиления. Между тем, высокая выходная мощность позволяет увеличить дальность действия радиолокационных средств либо сократить число используемых в них усилительных элементов, благодаря чему произойдет уменьшение габаритов и массы оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с применением зарубежных аналогов – меньшая стоимость конечного изделия, отсутствие риска срыва поставок из-за санкций.
ГАЛЕРЕЯ
/ ВСЕ СОБЫТИЯ
